传感器
TMR2111 TMR线性传感器
返回上一层
  • sot23-5
  • sot23-5
产品型号:TMR2111
兼容型号:
磁阻结构:全桥
供电电压:0.5~7 V
敏度(mV/V/Oe):0.65
电阻(kΩ):0.8,4
饱和场(Oe):±200
敏感方向:X轴
磁滞(Oe):0.2
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
封装形式:SOT23-5
交付周期:In stock
规格说明书:
  • TMR2111

产品概述:TMR21XX系列TMR线性磁场传感器芯片采用了推挽式惠斯通电桥结构,当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,传感器的输出电压随外加磁场线性地变化。TMR21XX系列线性磁场传感器芯片采用SOT23-5的封装形式,具有体积小和容易焊接的特点。该系列包括TMR2108、TMR2109、TMR2110TMR2111四款TMR线性磁场传感器芯片。

 

产品特性:(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)非线性度:±0.5 %(3)宽线性范围;(4)宽工作电压范围:0.5 V ~ 7 V(5)低磁滞;(6)高频响:可达500 kHz(7)工作温度 -40 °C ~ +125 °C


典型应用:(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)位置传感器;(4)角度传感器;;(5)磁导航。


auto_2200.jpg


                                                                                                                         

申明:(1)多维科技承诺本说明书所提供的信息是准确和可靠的,所公开的技术未触犯其他公司的专利且具有自主知识产权。多维科技具有保留为提高产品质量,可靠性和功能以更改产品规格的权力。多维科技对任何超出产品应用范围而造成的后果不承担法律责任。(2)“多维科技“和“多维科技 感知未来”是江苏多维科技有限公司的合法注册商标。

  • 在线客服