产品概述：TMR9002采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个高灵敏度TMR传感器元件。TMR9002性能优越，采用的封装形式：SOP8（6mm×5mm×1.5mm）。

产品特性：（1）隧道磁电阻（TMR）技术；（2）超高灵敏度（~100mV/V/Oe）；（3）更低的本底噪声（150pT/√Hz@1Hz）；（4）更低功耗；（5）优越的温度稳定性；（6）低的磁滞；（7）宽工作电压范围；（8）不需要置位/复位脉冲电路

典型应用：（1）微弱磁场检测；（2）电流传感器；（3）位置传感器；（4）生物医疗；（5）磁通讯

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