产品概述:三轴TMR2305M采用了三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计。每一轴惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。三轴TMR2305M采用的封装形式:Module(9.5mm x 9.5mm x 6mm)。
产品特性:(1)隧道磁电阻 (TMR) 技术;(2)高灵敏度(25mV/V/Oe);(3)低的本底噪声(<2nT/rT(Hz)@1Hz);(4)三维线性感应;(5)更宽动态范围;(6)低功耗;(7)优越的温度稳定性;(8)宽工作电压范围;(9)无需置位/复位脉冲电路
典型应用:(1)三维空间测量;(2)微弱磁场检测;(3)电流传感器;(4)位置传感器