磁传感器
TMR2103 大动态范围TMR线性磁传感器芯片
  • 2104中
产品型号:TMR2103
磁阻结构:全桥
供电电压:0 V~7 V
灵敏度(mV/V/Gs):6
电阻(kΩ):50
饱和场(Gs):±75
敏感方向:X轴
磁滞(Gs):0.3
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~10
封装形式:SOT23-5 SOP8 DFN8L
交付周期:In stock

产品概述

TMR2103 系列线性磁传感器芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。

TMR2103 系列线性芯片性能优越,采用了三种封装形式:SOP8、SOT23-5 和 DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm)。

SOT23-5、DFN8L、SOP8SOT23-5              DFN8L                 SOP8

产品特性

icon隧道磁阻 (TMR) 技术icon高灵敏度
icon宽动态范围icon低功耗
icon优越的温度稳定性icon极低的磁滞
icon宽工作电压范围icon符合 RoHS & REACH

典型应用

icon磁力计icon电流传感器
icon角度传感器icon位置传感器
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