序号 | 专利号 | 专利名称 | 发明人 | 申请日期 |
429 | CN206863194U | 一种具有多层磁性调制结构的低噪声磁电阻传感器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2017-04-26 |
428 | US-2019-0120915-A1 | 一种具有初始化线圈封装的磁电阻传感器 | 詹姆斯·G·迪克,张小军 | 2017-04-10 |
427 | 2019-513999 | 一种具有初始化线圈封装的磁电阻传感器 | 詹姆斯·G·迪克,张小军 | 2017-04-10 |
426 | EP3444627A1 | 一种具有初始化线圈封装的磁电阻传感器 | 詹姆斯·G·迪克,张小军 | 2017-04-10 |
425 | WO2017/177877 A1 | 一种具有初始化线圈封装的磁电阻传感器 | 詹姆斯·G·迪克,张小军 | 2017-04-10 |
424 | CN107037382A | 一种预调制磁电阻传感器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2017-04-05 |
423 | CN207081821U | 一种预调制磁电阻传感器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2017-04-05 |
422 | US-2019-0120916-A1 | 一种无需置位/复位装置的各向异性磁电阻AMR传感器 | 薛松生,雷啸峰,沈卫锋,丰立贤 | 2017-04-05 |
421 | 2019-516094 | 一种无需置位/复位装置的各向异性磁电阻AMR传感器 | 薛松生,雷啸峰,沈卫锋,丰立贤 | 2017-04-05 |
420 | EP3441779A1 | 一种无需置位/复位装置的各向异性磁电阻AMR传感器 | 薛松生,雷啸峰,沈卫锋,丰立贤 | 2017-04-05 |
419 | WO2017/173992 A1 | 一种无需置位/复位装置的各向异性磁电阻AMR传感器 | 薛松生,雷啸峰,沈卫锋,丰立贤 | 2017-04-05 |
418 | CN107015171A | 一种具有磁滞线圈的磁传感器封装结构 | 詹姆斯·G·迪克,伊拉姆帕瑞蒂·维斯瓦纳坦 | 2017-03-24 |
417 | CN206671517U | 一种具有磁滞线圈的磁传感器封装结构 | 詹姆斯·G·迪克,伊拉姆帕瑞蒂·维斯瓦纳坦 | 2017-03-24 |
416 | CN206671519U | 一种单芯片双轴磁电阻线性传感器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2017-03-24 |
415 | CN106871778B | 一种单芯片双轴磁电阻角度传感器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2017-02-23 |
414 | CN206627062U | 一种单芯片双轴磁电阻角度传感器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2017-02-23 |
413 | CN206515953U | 一种基于TMR传感器的磁头磁路结构 | 李东风,沈莹,魏继烈,张小军,史卫平,王高明 | 2017-02-17 |
412 | US-2018-0321334-A1 | 一种高灵敏度单芯片推挽式TMR磁场传感器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2016-10-31 |
411 | 2018-534571 | 一种高灵敏度单芯片推挽式TMR磁场传感器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2016-10-31 |
410 | EP3373022A1 | 一种高灵敏度单芯片推挽式TMR磁场传感器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2016-10-31 |
409 | WO2017/076252 A1 | 一种高灵敏度单芯片推挽式TMR磁场传感器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2016-10-31 |
408 | CN206209086U | 一种3D磁传感器的正交校准治具 | 詹姆斯·G·迪克,何艺成 | 2016-09-29 |
407 | CN106324534A | 用于激光写入系统的磁电阻传感器晶元版图及激光扫描方法 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2016-09-13 |
406 | CN206235722U | 用于激光写入系统的磁电阻传感器晶元版图 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2016-09-13 |
405 | CN206038021U | 一种基于TMR传感器的磁编码系统 | 李东风,魏继烈,薛松生,王高明,姚刚 | 2016-09-09 |
404 | WO2017036352 A1 | 一种半翻转两轴磁电阻传感器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2016-08-26 |
403 | CN106160670A | 一种平衡磁电阻混频器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2016-08-18 |
402 | CN206077338U | 一种平衡磁电阻混频器 | 詹姆斯·G·迪克,周志敏 | 2016-08-18 |
401 | US 10,459,042 B2 | 一种磁电阻继电器 | 周志敏,詹姆斯·G·迪克 | 2016-08-11 |
401 | US 10,459,042 B2 | 一种磁电阻继电器 | 周志敏,詹姆斯·G·迪克 | 2016-08-11 |
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