产品概述 | |
TMR3636D-BAC 芯片是多维科技推出的一款低压、低功耗 TMR 可编程模拟输出角度传感器芯片。 芯片内部集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器、低噪声可编程运算放大器及 DAC 调理电路，使用内置的专用信号调理电路，对隧道磁阻检测到的原始信号的零点偏移 (Offset)、放大倍数 (Gain) 等参数进行调整，输出经校正过后并随着外加磁场角度变化的正弦电压信号，该信号的周期如下图所示，与外加磁场强度无关。该芯片可广泛应用于各种位置检测应用场景，支持客户对低电压、高分辨率、高信噪比等性能的需求。 该产品采用 DFN3L (1.6 mm × 1.6 mm × 0.5 mm) 封装，符合 RoHS 等标准。 |  DFN3L |
产品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技术 | 供电电压 1.6 V ~ 5.0 V |
| 静态功耗 < 260 μA | 检测范围 0 ~ 360° |
| 非线性度：1.5 %FS (±30°) | 运算放大倍数：3 ~ 30 倍 |
| 低噪声、低功耗 | Sin+ / Sin- 差分输出 |
| 符合 RoHS & REACH | |
典型应用 | |
| 高精度摇杆 | 线性位移检测 |
