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TMR2102 大动态范围TMR线性传感器
  • TMR2102-big
产品型号：TMR2102
磁阻结构：全桥
供电电压：0 V～7 V
灵敏度（mV/V/Gs）：4.9
电阻（kΩ）：90/45
饱和场（Gs）：±90
敏感方向：X轴
磁滞（Gs）：0.1
本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）：～10
封装形式：SOP8 DFN8L
交付周期：In stock

产品概述

TMR2102 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2102 性能优越，采用两种封装形式：DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm) 和 SOP8。

SOP8 DFN8LDFN8L                            SOP8

产品特性

icon隧道磁阻 (TMR) 技术icon高灵敏度
icon宽动态范围icon低功耗
icon优越的温度稳定性icon极低的磁滞
icon宽工作电压范围icon符合 RoHS & REACH

典型应用

icon磁力计icon电流传感器
icon角度传感器icon位置传感器
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