| 产品型号：TMR2102 |
| 磁阻结构：全桥 |
| 供电电压：0 V～7 V |
| 灵敏度（mV/V/Gs）：4.9 |
| 电阻（kΩ）：90/45 |
| 饱和场（Gs）：±90 |
| 敏感方向：X轴 |
| 磁滞（Gs）：0.1 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）：～10 |
| 封装形式：SOP8 DFN8L |
| 交付周期：In stock |
产品概述 | |
TMR2102 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2102 性能优越，采用两种封装形式：DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm) 和 SOP8。 |  DFN8L SOP8 |
产品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技术 | 高灵敏度 |
| 宽动态范围 | 低功耗 |
| 优越的温度稳定性 | 极低的磁滞 |
| 宽工作电压范围 | 符合 RoHS & REACH |
典型应用 | |
| 磁力计 | 电流传感器 |
| 角度传感器 | 位置传感器 |
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