Metalization PVD (ULVAC PVD)

可以镀膜多种金属粘附层，种子层，导线层

IBD

实现纳米到亚微米级别金属膜和介质膜的沉积，并与 IBE 配套使用

ALD

可以在 150℃ - 275℃ 温度区间实现亚纳米级别介质膜沉积，膜厚一致性在 1% 以下

EVD

电子束蒸发镀膜，实现微米级别介质膜的沉积，膜厚一致性在 1% 以下

PE-CVD (Applied PECVD, ULVAC PECVD, PlasmaTherm PECVD)

支持 150°C - 400°C 之间的钝化膜沉积

High Temperature Oxidation Oven (高温氧化炉)

可以做 1200°C 热氧化，1μm 左右氧化膜

Magnetic Annealing Furnace (5T)

高真空高温磁场回火炉可以提供最高 500°C 高温，最强 5T 磁场，真空可达 -5Pa

多维科技建有国内首条 8 英寸磁传感器晶圆产线

多维科技xMR磁传感器晶圆制造产线已运营 10 多年，建有国内首条 8 英寸磁传感器晶圆产线，年产能达 10 亿颗芯片，配备了包含 xMR、退火、刻蚀、金属互连、光刻、去胶等复杂晶圆制造工艺的先进设备。多维科技晶圆制造产线的专业生产技术团队服务过多个磁传感器晶圆制造项目，拥有丰富的磁传感器晶圆制造技术和经验，可助力客户产品快速进入市场和提高产品迭代进度。

多维科技提供全方位晶圆代工服务

多维科技向客户提供全方位的 8 英寸 xMR 磁传感器晶圆代工服务，包括磁传感器晶圆研发量产及测试服务。多维科技晶圆制造技术可达行业高标准要求。晶圆测试服务包括晶圆测试程序开发，失效分析和可靠性测试等全面的测试服务。多维科技晶圆制造产线可根据客户需求对生产工艺流程进行快速优化，从而为客户提供高效的晶圆代工服务。

多维科技提供专业的设计和 IP 授权服务

多维科技晶圆代工设计服务可根据客户需求，提供磁传感器设计或辅助设计，包括掩膜版设计、磁器件仿真和工艺流程开发等各种晶圆代工设计服务。同时，为了向客户提供更好的晶圆代工设计服务，多维科技还开放了知识产权 (IP) 授权服务，客户可根据设计需求将多维科技相关的 IP 整合进自己的产品中，实现产品开发量产进一步的降本增效。