| 产品型号：TMR2103 |
| 磁阻结构：全桥 |
| 供电电压：0 V～7 V |
| 灵敏度（mV/V/Gs）：6 |
| 电阻（kΩ）：50 |
| 饱和场（Gs）：±75 |
| 敏感方向：X轴 |
| 磁滞（Gs）：0.3 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）：～10 |
| 封装形式：SOT23-5 SOP8 DFN8L |
| 交付周期：In stock |
产品概述 | |
TMR2103 系列线性磁传感器芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。 TMR2103 系列线性芯片性能优越，采用了三种封装形式：SOP8、SOT23-5 和 DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm)。 |  SOT23-5 DFN8L SOP8 |
产品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技术 | 高灵敏度 |
| 宽动态范围 | 低功耗 |
| 优越的温度稳定性 | 极低的磁滞 |
| 宽工作电压范围 | 符合 RoHS & REACH |
典型应用 | |
| 磁力计 | 电流传感器 |
| 角度传感器 | 位置传感器 |
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