产品概述 | |
TMR2905 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2905 性能优越,采用两种封装形式:DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm) 和 SOP8。 | DFN8L SOP8 |
产品特性 | |
隧道磁阻 (TMR) 技术 | 高灵敏度 (50~60 mV/V/Gs) |
宽动态范围 | 低功耗 |
优越的温度稳定性 | 极低的磁滞 |
宽工作电压范围 | 极低的本底噪声 (< 2 nT/rt(Hz)@1Hz) |
符合 RoHS & REACH | |
典型应用 | |
微弱磁场检测 | 电流传感器 |
位置传感器 |