四代磁性传感技术：

·第一代：Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器

·第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器

·第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器

·第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器

Hall工作原理

·电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转，在磁场方向上形成附加的横向电场，即霍尔电场

·纵向磁场感应

AMR工作原理

·单磁层器件

· 平行磁场感应

·1～3% △R/R

·工作在45°偏角

·电流在薄膜平面流动

·工作场范围窄

GMR工作原理

·电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射

·大部分电子不能形成散射

·室温条件下，GMR的最大电阻变化率（△R/R）<20%

TMR工作原理

·TMR效应利用了电子的自旋特性，电子在通过第二层磁性材料时，电子的自旋方向被定义；

·具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO（氧化镁）绝缘层，然后有选择性地穿过磁性层（自旋相同则通过——低电阻，否则不通过——高电阻）；

·室温条件下，TMR的最大电阻变化率（△R/R）可达500%以上。

TMR的优势

·功耗低

·灵敏度/分辨率高

·工作范围宽

·工作温度范围大

·高频响，可达GHz