-MDT 以新型的纳安功耗 TMR 开关传感器系列，进一步巩固了在电池供电的传感器应用中提供低功耗和高性能磁传感器解决方案的领先地位

美国伊利诺伊州罗斯蒙特和中国张家港2018年10月16日电 /美通社/ -- 专业的隧道磁阻 (TMR) 磁传感器领先供应商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 日前推出三款200纳安功耗的 TMR 开关传感器 TMR1362/TMR1262/TMR1162。与市场上其他的低功耗磁传感器产品相比，它们实现了低的功耗，同时在 50Hz 的分时供电频率下具备快速响应时间，具备1.8至5.5V 的更宽电源电压范围，以及-40至125摄氏度之间的出色的温度稳定性。它们非常适用于各种电池供电的传感器应用，包括智能流量计、接近开关、液位传感器、门禁开关、电动玩具，以及众多的工业类、消费类和医疗传感器的应用。

专业的隧道磁阻 (TMR) 磁传感器领先供应商江苏多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 日前推出三款200纳安功耗的 TMR 开关传感器 TMR1362/TMR1262/TMR1162。

多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士表示：“MDT 的新型纳安功耗 TMR 开关传感器拓展了我们现有的产品线，在保持高速响应的同时实现了更低的功耗。现在市场上的纳安级低功耗磁传感器产品都是采用2至10Hz 的分时供电来降低功耗，同时也导致了产品的响应速度非常慢，并且在高速切换的信号下存在错误检测的风险。与竞争对手的产品相比，我们新推出的纳安功耗 TMR 开关传感器采用了50Hz 的分时供电设计，以确保传感器的性能可以满足高速应用的场合和快速的响应时间，同时实现了200纳安的功耗，是目前市场上所有此类产品中的低功耗。这只有通过 MDT 独特的 TMR 技术、以及该技术在 TMR 传感器的设计、制造和应用方面所具备的非常强大的专利组合才能够得以实现。对于性能要求更高的应用，MDT 现有的1.5微安功耗的 TMR 开关传感器已被业界公认为是在连续供电模式下的实现低功耗和高响应速度的解决方案。它们可与 MDT 的新型纳安功耗 TMR 开关传感器配合使用，为客户的新一代传感器解决方案提供更全面的选择，同时也可以为现有的设计中采用的干簧管开关、霍尔效应开关、以及 AMR/GMR/TMR 传感器提供可靠性更强、速度更快、功耗更低的升级产品。”

2018年10月16-17日，在美国伊利诺伊州罗斯蒙特举办的 Sensors Midwest 传感器展会上，MDT 将展示 TMR 开关传感器、TMR 角度传感器、TMR 线性传感器，和 TMR 齿轮传感器等 TMR 传感器芯片产品，以及 TMR 磁图像传感器和 TMR 齿轮编码器等具备完整功能的传感器模组。

MDT 简介
多维科技创立于2010年，总部设在中国江苏省张家港，在中国北京、上海、成都、宁波，日本大阪和美国加利福尼亚州圣何塞设有分公司。MDT 拥有多项独特的专利技术和先进的制造能力，可批量生产高性能、低成本 TMR 磁传感器以满足严格的应用需求。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术和工程服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下，MDT 致力于为客户带来更多附加值，并确保他们的成功。有关 MDT 详情，请访问：http://www.dowaytech.com/。

媒体联系人
刘劲峰，电邮：jinfeng.liu@dowaytech.com，电话：+1-650-275-2318（美国），+86-189-3612-1156（中国）
魏继烈，电邮：kevin.wei@dowaytech.com，电话：+86-189-3612-1160（中国）