产品概述 | |
TMR2185 线性芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2185 性能优越,采用了 SOP8 和 LGA4L (2mm × 1.5mm × 0.73mm) 封装形式。 | ![]() |
产品特性 | |
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典型应用 | |
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产品型号:TMR2185 |
磁阻结构:全桥 |
供电电压:0.5 V ~ 7 V |
灵敏度(mV/V/Gs):0.34 |
电阻(kΩ):43 |
线性范围(Gs):±200 |
敏感方向:Y轴 |
磁滞(Gs):0.3 |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/ |
封装形式:SOP8 LGA4L |
交付周期:In stock |
产品概述 | |
TMR2185 线性芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2185 性能优越,采用了 SOP8 和 LGA4L (2mm × 1.5mm × 0.73mm) 封装形式。 | ![]() |
产品特性 | |
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典型应用 | |
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