产品概述 | |
TMR2585 线性磁传感器芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件,可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出。在 -40°C ~ +125°C 范围内,TMR2585 的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2585 芯片性能优越,采用三种封装形式, TMR2585T 采用 TO94 封装,TMR2585B 采用 SSIP4 封装,TMR2585S 采用 SOT23-5 封装。 | ![]() |
产品特性 | |
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典型应用 | |
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