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AMR2302 高精度低本底噪声线性双轴磁传感器芯片
  • AMR2302-big
产品型号：AMR2302
磁阻结构：/
供电电压（V）：1.8～12
灵敏度（mV/V/Gs）：0.9
电阻（kΩ）：0.65
饱和场（Gs）：±20
敏感方向：X/Y轴
磁滞（Gs）：0.05
本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）：0.3
封装形式：SOP16
交付周期：In Stock

产品概述

AMR2302 采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计，每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度 AMR 传感元件，独特 AMR 惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。AMR2302 性能优越，采用标准的封装形式 SOP16。

auto_4090.pngSOP16

产品特性

icon各项异性磁阻 (AMR) 技术icon宽工作电压范围
icon本底噪声 300 pT/√Hz@1 Hzicon较低的饱和场
icon低磁滞icon优越的温度稳定性
icon符合 RoHS & REACH

典型应用

icon微弱磁场检测icon电流传感器
icon位置传感器icon磁强计

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