磁传感器
TMR2625D-AAI 低功耗、可编程的双轴 TMR 线性磁传感器芯片
  • tmr2625d-aai-big
产品型号:TMR2625D-AAI
磁阻结构:/
供电电压:1.6 V ~ 5 V
灵敏度(mV/V/Gs):0.700~7.000
电阻(kΩ):/
饱和场(Gs):±250
敏感方向:X轴和Y轴
磁滞(Gs):2
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/
封装形式:DFN8L
交付周期:In stock

产品概述

TMR2625D-AAI 芯片是多维科技推出的一款低功耗的双轴可编程 TMR 线性磁传感器芯片 , 芯片内部集成了隧道磁阻传感器 (TMR)、低噪声运算放大器及 DAC 等电路,模拟输出电压与外部磁场满足线性比例关系。隧道磁阻传感器 (TMR) 包括两组独特的推挽式惠斯通全桥,敏感方向分别为 X 轴和 Y 轴方向。

该芯片可广泛应用于各种位置感应等应用场景,支持客户对低功耗、高分辨率、高信噪比、大线性范围等性能的需求。

该产品采用 DFN8L (3 mm × 3 mm × 0.75 mm) 封装,符合 RoHS 等标准。

DFN8LDFN8L

产品特性

icon隧道磁阻 (TMR) 技术icon供电电压 1.6 V ~ 5 V
icon静态功耗 < 600 μAicon输出电压摆幅:5% ~ 95%VDD
icon输出电压跟随 VDD 变化icon低噪声
icon灵敏度一致性高icon低磁滞
icon符合 RoHS & REACH

典型应用

icon位置检测icon磁场检测
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