产品概述 | |
TMR4101 磁栅传感器芯片包含两个推挽式半桥，每个半桥由两个高灵敏度隧道磁阻（TMR）元件组成。TMR 元件布局和磁极宽度相匹配，当传感器沿着磁栅的长度方向移动时，传感器输出两路彼此正交的弦波信号，该信号的周期对应一对磁极的宽度。对这两路弦波信号解码，可精确测量芯片与磁栅之间的相对位移。 TMR4101 磁栅传感器芯片采用了小型的封装 DFN4L(1.32 mm × 0.66 mm × 0.3 mm)，可减小对芯片安装的要求，使系统的结构设计更加灵活，方便装配至狭小空间内。 多维提供配套的磁栅，可定制不同长度的磁栅，满足客户多方面的需求。 |  DFN4L |
产品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技术 | 检测磁栅周期 0.8 mm |
| 高灵敏度 | 宽工作电压范围 |
| 允许较大的测量间隙 | A、B 相模拟电压输出 |
| 良好的温度稳定性 | 符合 RoHS & REACH |
典型应用 | |
| 摄像头自动对焦系统 | 齿轮运动速度和方向检测 |
| 线速度和角速度感应 | 直线位移和曲线位移测量 |
| 磁栅尺及磁编码器 | |
