产品概述 | |
TMR2153 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2153 性能优越,采用 SOT23-5 封装形式。 | SOT23-5 |
产品特性 | |
隧道磁阻 (TMR) 技术 | 宽动态范围:±200 Gs |
优越的温度稳定性 | 非线性度:1 % |
符合 RoHS & REACH | |
典型应用 | |
磁力计 | 电流传感器 |
角度传感器 | 位置传感器 |
产品型号:TMR2153 |
磁阻结构:全桥 |
供电电压:0.5 V ~ 7 V |
灵敏度(mV/V/Gs):0.5 |
电阻(kΩ):100 |
饱和场(Gs):±500 |
敏感方向:X轴 |
磁滞(Gs):5 |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):/ |
封装形式:SOT23-5 |
交付周期:In stock |
产品概述 | |
TMR2153 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2153 性能优越,采用 SOT23-5 封装形式。 | SOT23-5 |
产品特性 | |
隧道磁阻 (TMR) 技术 | 宽动态范围:±200 Gs |
优越的温度稳定性 | 非线性度:1 % |
符合 RoHS & REACH | |
典型应用 | |
磁力计 | 电流传感器 |
角度传感器 | 位置传感器 |
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