产品概述 | |
TMR1202D 磁开关芯片是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的双极锁存型磁开关芯片，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号，以实现位置的精确检测。 与 Hall/AMR 传感器不同，TMR 传感器具有极高的电阻值，使此开关芯片工作在全时供电模式，保持低功耗的同时实现了真正的磁场信号连续检测，避免了传统的分时供电模式产生的采样误差。此芯片静态供电电流低至 1.5 μA，并且保持了 1 kHz 的磁信号响应频率。 |  DFN3L |
产品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技术 | 低功耗 (静态电流 1.5 μA) |
| 高频率响应 (至 1 kHz) | 双极锁存型磁开关 |
| 宽工作电压 (1.8 V ~ 5.5 V) | CMOS 推挽输出 |
| 高灵敏度 | 卓越的温度稳定性 |
| 优越的抗外磁场性能 | 符合 RoHS & REACH |
| 符合 AECQ100-Grade1 | 湿敏等级 1 级 (MSL1) |
典型应用 | |
| 水表、气表和热量表 | 接近开关 |
| 速度检测 | 线性及旋转位置检测 |
| 唤醒磁开关 | |
