产品概述 | |
TMR3026 角度传感器芯片采用两组冗余的惠斯通电桥结构设计，每组惠斯通电桥包括四个高灵敏度隧道磁阻 (TMR) 传感器元件，组成两组半桥结构，分别输出 SIN 单端电压和 COS 单端电压。TMR 惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。 在角度传感器的应用场合下，在 TMR3026 角度芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，当磁铁旋转时，芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。 TMR3026 芯片的冗余设计提升了应用系统安全性，当磁场范围在 200 Gs ~ 800 Gs 范围内变化时，它可以保持很低的角度误差。该芯片采用 SOP8 封装。 |  SOP8 |
产品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技术 | 宽工作电压范围 |
| 两组冗余的 SIN/COS 单端电压输出 | 良好的温度稳定性 |
| 优越的抗环境磁场性能 | 四组半桥，单芯片冗余 |
| AEC-Q100 评估中 | 符合 RoHS & REACH |
典型应用 | |
| 绝对值角度位置检测 | EPS 电机轴角度位置检测 |
| 方向盘角度位置检测 | 踏板位置检测 |
| 节气门位置检测 | |
