| 产品型号：TMR2585 |
| 磁阻结构：全桥 |
| 供电电压：1 V ~ 7 V |
| 灵敏度（mV/V/Gs）：2.6 |
| 电阻（kΩ）：10 |
| 饱和场（Gs）：±200 |
| 敏感方向：Z 轴 |
| 磁滞（Gs）：2 |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）：/ |
| 封装形式：SOT23-5 SSIP4 TO94 |
| 交付周期：In stock |
产品概述 | |
TMR2585 线性磁传感器芯片采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件，可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。在 -40°C ~ +125°C 范围内，TMR2585 的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2585 芯片性能优越，采用三种封装形式， TMR2585T 采用 TO94 封装，TMR2585B 采用 SSIP4 封装，TMR2585S 采用 SOT23-5 封装。 |  SOT23-5 SSIP4 TO94 |
产品特性 | |
 隧道磁阻 (TMR) 技术 | 高灵敏度 |
| 优越的温度稳定性 | 低功耗 |
| 极低的磁滞 | 宽工作电压范围 |
| 符合 RoHS & REACH | |
典型应用 | |
| 磁力计 | 电流检测 |
| 电机驱动 | 位置检测 |
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