TMR3016 - 模拟角度系列 - TMR角度传感器 - 磁传感器 - 多维科技 | 磁传感器（TMR·GMR·AMR）制造商

产品概述
TMR3016 角度传感器芯片采用独特的推挽式惠斯通电桥结构设计，该电桥由四个高灵敏度隧道磁阻 (TMR) 元件组成。传感器随着外加磁场角度的变化输出正弦电压信号，该信号的周期为磁场方向在感应平面内旋转 360°，与外加磁场强度无关。 TMR3016 角度传感器芯片采用了紧凑型的封装 DFN4L (0.8 mm × 0.4 mm × 0.23 mm)，便于在小空间内进行组装。	DFN4L
产品特性
隧道磁阻 (TMR) 技术	宽工作电压范围
正弦差分输出	优越的温度稳定性
允许较大的测量间隙	小尺寸 DFN 封装
符合 RoHS & REACH
典型应用
角度位置测量	线性位置测量

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