产品概述 | |
AMR2501 采用独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,惠斯通电桥包含四个高灵敏度 AMR 传感元件,独特 AMR 惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。AMR2501 性能优越,采用极小封装形式 DFN16L (5 mm × 6 mm × 0.75 mm)。 | DFN16L |
产品特性 | |
各项异性磁阻 (AMR) 技术 | 宽工作电压范围 |
本底噪声 100 pT/√Hz@1 Hz | 较低的饱和场 |
低磁滞 | 优越的温度稳定性 |
符合 RoHS & REACH | |
典型应用 | |
微弱磁场检测 | 电流传感器 |
位置传感器 | 磁强计 |