磁传感器
AMR2501 高精度低本底噪声线性磁传感器芯片
  • AMR2501-big
产品型号:AMR2501
磁阻结构:/
供电电压(V):1.8~12
灵敏度(mV/V/Gs):2.5
电阻(kΩ):0.7
饱和场(Gs):±6
敏感方向:Y轴
磁滞(Gs):0.02
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):0.1
封装形式:DFN16L
交付周期:In Stock

产品概述

AMR2501 采用独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,惠斯通电桥包含四个高灵敏度 AMR 传感元件,独特 AMR 惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。AMR2501 性能优越,采用极小封装形式 DFN16L (5 mm × 6 mm × 0.75 mm)。

auto_4092.pngDFN16L

产品特性

icon各项异性磁阻 (AMR) 技术icon宽工作电压范围
icon本底噪声 100 pT/√Hz@1 Hzicon较低的饱和场
icon低磁滞icon优越的温度稳定性
icon符合 RoHS & REACH

典型应用

icon微弱磁场检测icon电流传感器
icon位置传感器icon磁强计

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